陈珊珊

作者: 时间:2025-02-26 点击数:




陈珊珊 Chen Shanshan 讲师

所属学院:

材料与能源学院

导师类别:

硕士生导师

科研方向:

半导体光电材料与器件

联系方式:

chensunny@gdut.edu.cn

招生学院:

材料与能源学院


个人简述

陈珊珊,2017年毕业于浙江大学材料科学与工程学院,获工学博士学位。要研究半导体薄膜材料的制备及其光电器件,宽禁带氧化物半导体单晶薄膜的外延生长研究。主持国家自然科学基金、浙江大学硅材料国家重点实验室开放课题,广州市基础研究计划等项目,发表SCI论文30余篇,其中以第一作者、通讯作者在国际高水平期刊发表论文10篇,总引用200余次,授权国家发明专利4项。


学科领域

科学学位:材料科学与工程

专业学位:材料工程


教育背景

20126  浙江大学学校材料科学与工程专业  学士学位

20176  浙江大学学校材料科学与工程专业  博士学位


工作经历



主要荣誉


20177  广东工业大学  担任讲师职务


2023年 广东工业大学材料与能源学院优秀共产党员

2023广东大学生材料创新大赛三等奖指导老师

2022年 广东工业大学教学优秀奖二等奖

2021广东大学生材料创新大赛三等奖指导老师


主要论文

[1] S. Chen#, N. Wang, Y. Wang, Q. Xie, X. Pan*, H. He, F. Wang, H. Suo, Z. Ye, Compliant substrate epitaxial MgZnO films using fluorphlogopite mica approaching homoepitaxy quality, Applied Surface Science, 653 (2024) 159493.

[2] C. Xie#, Y. Yang, K. Li, X. Cao, S. Chen*, Y. Zhao*, A Broadband Photodetector Based on Non-Layered MnS/WSe2 Type-I Heterojunctions with Ultrahigh Photoresponsivity and Fast Photoresponse, Materials, 17 (2024) 1590.

[3] J. Liu#, S. Chen*, L. Tao, Y. Zhao, J. He, L. Huang, Y. Yang, Ti3C2Tx quantum dots/polyvinyl alcohol films as an enhanced long-term stable saturable absorber device for ultrafast photonics, Journal of Materials Chemistry C, 10 (2022) 17684-17694.

[4] J. Liu#, S. Chen*, J. He, R. Huang, L. Tao, Y. Zhao, Y. Yang, Ti3C2Tx MXene Quantum Dots with Surface-Terminated Groups (-F, -OH, =O, -Cl) for Ultrafast Photonics, Nanomaterials, 12 (2022) 2043.

[5] S. Chen#, T. Zhan, X. Pan*, H. He, J. Huang, B. Lu, Z. Ye, UV electroluminescence emissions from high-quality ZnO/ZnMgO multiple quantum well active layer light-emitting diodes, RSC Advances, 11 (2021) 38949-38955.

[6] S. Chen#, C. Xu, X. Pan*, H. He, J. Huang, B. Lu, Z. Ye, High internal quantum efficiency ZnO/ZnMgO multiple quantum wells prepared on GaN/sapphire templates for ultraviolet light emitting diodes, Journal of Materials Chemistry C, 7 (2019) 6534-6538.

[7] S. Chen#, X. Pan*, C. Xu, X. Chen, J. Huang, Z. Ye*, Epitaxial Growth and Stress Analysis of Zn1-xMgxO Films on Si (111) Substrates, Thin Solid Films, 2017, 628, 50.

[8] S. Chen#, X. Pan*, C. Xu, J. Huang, Z. Ye*, X-ray photoelectron spectroscopy study of energy-band alignments of ZnO on buffer layer Lu2O3, Physics Letters A, 2016, 380, 970.

[9] S. Chen#, X. Pan*, H. He, W. Chen, J. Huang, B. Lu, Z. Ye*, Enhanced internal quantum efficiency in non-polar ZnO/Zn0.81Mg0.19O multiple quantum wells by Pt surface plasmons coupling, Optics Letters, 2015, 40, 3639.

[10] S. Chen#, X. Pan*, H. He, W. Chen, W. Dai, C. Chen, H. Zhang, P. Ding, J. Huang, B. Lu, J. Lu, Z. Ye*, 60-fold photoluminescence enhancement in Pt nanoparticle-coated ZnO films: role of surface plasmon coupling and conversion of non-radiative recombination, Optics Letters, 2015, 40, 2782.

[11] S. Chen#, X. Pan*, Y. Li, W. Chen, H. Zhang, W. Dai, P. Ding, J. Huang, B. Lu, Z. Ye*, Improved photoluminescence performance of MgZnO films by alloying beryllium, Physics Letters A, 2015, 379, 912.

[12] S. Chen#, X. Pan*, H. He, W. Chen, C. Chen, W. Dai, H. Zhang, P. Ding, J. Huang, B. Lu, Z. Ye*, Enhanced photoluminescence of non-polar p-type ZnO film by surface plasmon resonance and electron transfer, Optics Letters, 2015, 40, 649.

[13] S. Chen#, X. Pan*, W. Chen, H. Zhang, W. Dai, P. Ding, J. Huang, B. Lu, Z. Ye*, The role of beryllium in the band structure of MgZnO: Lifting the valence band maximum, Applied Physics Letters, 2014, 105, 122112.

S. Chen#, X. Pan*, P. Ding, H. Zhang, W. Chen, W. Dai, J. Huang, Z. Ye*, Effect of high temperature thermal treatment of (100) γ-LiAlO2 substrate on epitaxial growth of ZnO films by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Thin Solid Films, 2014, 564, 156.


知识产权








科研项目

[1] 陈珊珊,刘建锋,招瑜,陶丽丽,冯星:一种异质结可饱和吸收体的制备方法及其在脉冲光纤激光器中的应用,授权号:ZL202211423336.X

[2] 刘建锋,陈珊珊,朱加丽,招瑜:一种蓝色二氧化钛的制备方法,授权号:ZL202111203805.2

[3] 叶志镇、陈珊珊、潘新花、黄靖云、吕斌,一种制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法,授权号:201410661515.6

[4] 叶志镇、陈珊珊、潘新花、黄靖云、何海平、吕斌,一种制备高发光性能pZnO薄膜的方法,授权号:201410618510.5


[1] “形核-合拢协同调控位错”外延氧化锌研究,国家自然科学基金青年基金项目,30万,2025.01-2027.12,主持;

[2] 基于GaN/Al2O3衬底外延ZnO/ZnMgO量子阱的点缺陷调控研究,广州市基础与应用基础研究项目,5万,2023.04-2025.03,主持;

[3] ZnO/ZnMgO量子阱高效光转换研究,浙江大学硅材料国家重点实验室2019年开放课题,6万,2019.07-2021.06,主持。

极性ZnO薄膜的跨层缺陷调控及光电性能优化国家自然科学基金面上项目,2020-01-012023-12-3160万元,参与。








地址:广州市番禺区广州大学城外环西路100号广东工业大学行政楼325    邮编:510006

电话:020-39322722    邮箱:yzb@gdut.edu.cn  粤ICP备05008833号