张紫辉 教授 博士生导师
联系方式：zh.zhang@gdut.edu.cn
通讯地址：广东工业大学集成电路学院
所属团队：宽禁带半导体器件与集成团队
简介：
张紫辉，男，生于1983年，2006年毕业于山东大学并获得理学学士学位，2015年毕业于新加坡南洋理工大学并获博士学位，担任广东工业大学百人计划特聘教授、博士生导师，是省特聘专家、省特殊津贴专家、省青年拔尖人才、省优秀青年基金获得者、市管拔尖人才。主要研究宽禁带半导体器件、半导体器件物理、芯片设计与仿真技术及产业化推广；已经在Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices、Optics Express、Optics Letters等领域内权威SCI 期刊发表科研论文150多篇，其中以第一作者/通讯作者发表文章120余篇；参与出版学术专著5部；获授权美国专利、中国国家专利共计40项，已经完成成果转化5项；先后主持国家自然科学基金3项（其中重点项目1项）、参与主持科技部重点研发计划2项、省部级及各类人才项目、企业横向课题20多项。在SSL China、全国MOCVD学术会议、全国宽禁带半导体学术会议、International Conference on Nitride Semiconductors等国内外学术会议上作特邀报告30多次。《发光学报》青年编委，东旭集团平板显示玻璃技术和装备国家工程实验室技术委员会委员、理事，中国电工技术学会半导体光源专委会委员、中国电子学会会员。
研究方向：
GaN基大功率半导体器件与系统集成
半导体器件物理与半导体TCAD仿真技术
教育经历：
2010-2015 南洋理工大学 博士研究生
2006-2009 伦斯勒理工学院 研究生
2002-2006 山东大学 本科
工作经历：
2023-目前 广东工业大学 百人计划特聘教授 博士生导师
2015-2022 河北工业大学 教授 博士生导师
2015-2015 南洋理工大学 博士后研究员
主要荣誉：
省特聘专家、省特殊津贴专家、省青年拔尖人才、省优秀青年基金获得者、市管拔尖人才
科研项目：
1.国家自然科学基金区域联合创新基金重点项目（U23A20361）：Si基GaN高效功率电子器件制备、TCAD仿真及机理研究，项目经费：257万元，项目执行期：2024年1月-2027年12月，主持。
2.科技部重点研发计划项目（2022YFB3605102）：AlGaN基深紫外量子结构光电特性及其调控方法，项目经费：48万元，项目执行期：2016年11月-2021年10月，参与主持。
3.国家自然科学基金面上项目（62074050）：内嵌PN结对深紫外LED电学、光学及热学特性影响的研究，项目经费：61万元，项目执行期：2021年1月-2024年12月，主持。
4.东旭集团（HI1909）：新型光电显示用玻璃基板关键技术与装备开发及其在先进显示系统中的应用，项目经费：100万元，项目执行期：2020年1月-2022年12月，主持。
5.国防科工局稳定支持项目（JCKY2019210C012）， xxxxxx的结构仿真与器件物理基础研究，项目经费：30万元，项目执行期：2019年1月-2019年12月，主持。
6.科技部重点研发计划项目（2016YFB0400800, 2016YFB0400801）：第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术，项目经费：89万元，项目执行期：2016年7月-2021年6月，参与主持。
7.河北省高校百名优秀创新人才支持计划（SLRC2017032）：AlGaN基深紫外发光二极管的制备与研究，项目经费：20万元，项目执行期：2017年3月-2020年4月，主持。
8.河北省青年拔尖人才支持项目（210013）：GaN基光电子器件的制备与研究，项目经费：60万元，项目执行期：2016年4月-2022年3月，主持。
9.河北省百人计划项目（E2016100010）：影响AlGaN基深紫外发光二极管内量子效率因素的研究，项目经费：100万元，项目执行期：2017年1月-2019年12月，主持。
10.河北省自然科学基金优秀青年基金项目（F2017202052）：MIS结构在氮化物LED中的应用研究，项目经费：10万元，项目执行期：2016年1月-2018年12月，主持。
11.天津市科学技术委员会一般项目（16JCYBJC16200）：III-V族氮化物半导体发光二极管中极化自屏蔽效应的研究，项目经费：10万元，项目执行期：2016年4月-2019年3月，主持。
12.国家自然科学基金青年项目（51502074）：极化电场对III-V族氮化物半导体发光二极管载流子输运及器件内量子效率影响的研究，项目经费：24万元，项目执行期：2016年1月-2018年 12月，主持。
科研成果：
1.代表性学术论文：
1．Y. Chen, C. Chu, T. Jia, Y. Jia, Y. Zhang, and Z.-H. Zhang*, “Is it possible to make thin p-GaN layer for AlGaN-based deep ultraviolet micro light emitting diodes?”, to be published (2023).
2. C. Chu, Y. Jia, S. Hang, Y. Chen, T. Jia, K. Tian, Y. Zhang, Z.-H. Zhang*, “Fabricating and investigating a beveled mesa with a specific inclination angle to improve electrical and optical performances for GaN-based micro-light-emitting diodes”, Opt. Lett., 48 (22), 5863 (2023).
3. Z. Xuan, C. Chu, K. Tian, Z. Zhu, Z. Xie, K. Jiang, Y. Zhang, X. Sun, Z. -H. Zhang*, D. Li, “GaN-based ultraviolet phototransistor with two parallel polarization-doped junctions and an Al0.20Ga0.30N insertion layer to achieve low dark current and high detectivity”, IEEE Trans. Electron Devices, 70 (11), 5707 (2023).
4. Z. Wang, F. Huang, C. Chu, Y. Zhang, Q. Sun, Z. -H. Zhang*, “On the super-junction formed by using field plate for lateral AlGaN/GaN-based Schottky barrier diodes”, Jpn. J. Appl. Phys., 62, 094001 (2023).
5. Y. Gao, C. Chu, S. Hang, Y. Zhang, J. Zhou, and Z.-H. Zhang*, “Influence of anti-phase surface relief structure on optical mode and laser output power for 450 nm GaN-based VCSELs,” Jpn. J. Appl. Phys. 62, 014003 (2023).
6. F. Huang, Z. Wang, C. Chu, Q. Liu, Y. Li, X. Zheng, Y. Zhang, Q. Sun, and Z. -H. Zhang*, “MIS-Based GaN Schottky Barrier Diodes: Interfacial Conditions on the Reverse and Forward Properties”, IEEE Trans. Electron Devices 69, 5522 (2022).
2.知识产权：
1.张紫辉；黄福平；张勇辉；楚春双，一种具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构，CN 112909076 A(授权日：2022年7月12日)。
2.张紫辉；张丹扬；张勇辉，一种同时具有SBD和DUV LED结构的集成光电子芯片及其制备方法，CN 111863861 A(授权日：2022年8月30日)。
3.黄福平；张勇辉；张紫辉，一种具有倾斜侧壁场板的倒梯形栅MOSFET器件结构，CN 111463266 A(授权日：2022年12月13日)。
4.张紫辉；车佳漭；李青；张勇辉；楚春双；郑权，一种面向紫外通讯的Micro紫外发光二极管芯片，CN 113345989 A(授权日：2022年8月30日)。
5.张紫辉； 刘祖品；楚春双；张勇辉，具有金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器及其制备方法，CN 114267747 B （授权日：2023年6月2日）。
6.张紫辉；王佳幸；张勇辉，一种基于极化效应的AlGaN-MSM探测器结构及其制备方法，CN 111564511 B （授权日：2023年3月21日）。
