许佳雄

作者:集成电路学院 时间:2022-04-20 点击数:

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许佳雄 副教授 硕士生导师


联系方式:xujiaxiong@gdut.edu.cn

通讯地址:广东工业大学大学城校区理学馆714

所属团队:感存算器件及其系统集成科研团队



简介:

许佳雄,1984年生,博士、副教授,入选广东工业大学优秀青年教师培养计划。主要从事存算一体集成电路设计、宽禁带半导体材料与器件、硫族化合物半导体材料与器件等研究。


研究方向:

1. 集成电路设计

2. 半导体器件工艺

3. 新型半导体材料


教育经历:

2003.9-2007.7,华南理工大学,电子科学与技术,获学士学位;

2007.9-2012.6,华南理工大学,微电子学与固体电子学,获博士学位。


工作经历:

2012.06-2014.06,广东工业大学,材料与能源学院,博士后

2012.06-2016.12,广东工业大学,材料与能源学院,讲师

2016.12-2021.09,广东工业大学,材料与能源学院,副教授

2021.10至今,广东工业大学,集成电路学院,副教授


主要荣誉:

入选广东工业大学优秀青年教师培养计划,获第四届南粤科技创新优秀学术论文奖二等奖、广东工业大学本科教学优秀奖,获评广东工业大学先进科技工作者。


科研项目:

1. 磁控溅射和后续硫化法制备Cu2ZnSnS4薄膜的组分特性和硫化机制研究,国家自然科学基金青年科学基金项目,2016.1-2018.12,23万,主持

2. 基于柔性衬底的锌黄锡矿结构太阳能电池的界面接触关键技术研究,广东省科技计划项目,2017.1-2019.12,30万,主持

3. 柔性衬底铜锌锡硫薄膜太阳能电池研究,中国博士后科学基金面上资助项目,2012.10-2014.6,5万,主持



科研成果:

1.代表性学术论文:

(1) Jiaxiong Xu, Yuanzheng Yang*. Study on the performances of SnS heterojunctions by numerical analysis. Energy Conversion and Management, 2014, 78: 260–265

(2) Jiaxiong Xu*, Junhui Lin, Chunan Zhuang. undefinedysis of the open-circuit voltage of Cu2ZnSn(S, Se)4 thin film solar cell. Solar Energy, 2018, 164: 231–242

(3) Lirou Su, Jiaxiong Xu*. Tailoring the electrical properties of Cu2ZnSnS4 thin film by heterovalent Al3+ doping. Ceramics International, 2023, DOI: 10.1016/j.ceramint.2022.12.195

(4) Junhui Lin, Jiaxiong Xu*, Yuanzheng Yang*. Study of interface properties between Cu2ZnSnS4 thin films and metal substrates. Ceramics International, 2020, 46: 218–226

(5) Xiaomeng Huang, Junhui Lin, Jiaxiong Xu*, Yaqun Liu, Yuanzheng Yang, Zhiwei Xie, Weitong Cai. Effect of periodic precursor on sulfurization process of Cu2ZnSnS4 thin film. Ceramics International, 2018, 44(17): 20877–20882

(6) Lei Qiu, Jiaxiong Xu*, Xiao Tian. Fabrication of Ag and Mn co-doped Cu2ZnSnS4 thin film. Nanomaterials, 2019, 9(11): 1520

(7) Xiao Tian, Jiaxiong Xu*. Study on the role of Mn in Ag and Mn co-doped Cu2ZnSnS4 thin films. Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, 129: 105787

(8) Junhui Lin, Xiaoshuai Wu, Jiaxiong Xu*, Yuanzheng Yang*. Inhibiting the formation of MoS2 between Cu2ZnSnS4 thin film and Mo(211) foil substrate by inserting a Mo(110) intermediate layer. Optical Materials, 2022, 124: 111996

(9) Lei Qiu, Jiaxiong Xu*, Weitong Cai, Zhiwei Xie, Yuanzheng Yang. Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films by microwave assisted sol-gel method. Superlattices and Microstructures, 2019, 126: 83–88

(10) Jiaxiong Xu, Ruohe Yao*. Effect of Si/Fe ratio on the boron and phosphorus doping efficiency of β-FeSi2 by magnetron sputtering. Thin Solid Films, 2011, 520(1): 515–518

(11) 庄楚楠, 许佳雄*. 温度系数连续可调的带隙基准源电路设计. 液晶与显示, 2018, 33(5): 412–417


2.知识产权:

(1) 许佳雄, 邱磊, 庄楚楠等. 一种双掺杂铜锌锡硫薄膜及其制备方法. 发明专利, 专利号: ZL 201910285172.0

(2) 许佳雄, 黄晓梦, 林俊辉等. 一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法. 发明专利, 专利号: ZL 201811013186.9

(3) 许佳雄, 曹中明, 杨元政等. 利用磁控溅射法在柔性衬底上制备铜锌锡硫薄膜的方法. 发明专利, 专利号: ZL 201410149990.5

(4) 许佳雄, 杨元政, 谢致薇等. 一种柔性衬底ZnS薄膜的制备方法. 发明专利, 专利号: ZL 201410149920.X

(5) 许佳雄, 刘怀远, 邱磊等. 一种三元化合物半导体薄膜的制备方法. 发明专利, 专利号: ZL 201910394420.5




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