贺致远 教授 硕士生导师

联系方式：hezhiyuan@gdut.edu.cn

通讯地址：广东工业大学大学城校区理学馆501-3

所属团队：功率器件与集成技术团队

 

简介：

贺致远，工学博士、教授，分别于2009年、2014年获中山大学理学学士、工学博士学位，担任IEC TC47/SC47E/WG3（功率器件）国内技术对口工作组专家，第三代半导体产业联盟GaN功率器件标准化工作组专家。主要从事硅基及宽禁带半导体功率器件的结构仿真设计、制备工艺开发、封装及可靠性评估、检测设备开发等研究；主持了国家重点研发计划子课题、国家自然科学基金青年基金、国防基础科研计划、广东省自然科学基金等7项国家级、省部级项目。目前已发表SCI论文30余篇，授权发明专利10余项，编制标准2项。

研究方向：

1、硅基及宽禁带半导体功率器件开发

2、半导体功率集成技术

3、功率器件可靠性测试技术及设备开发

教育经历：

2005/09-2009/06 中山大学 光信息科学与技术 获理学学士学位

2009/09-2014/06 中山大学 微电子学与固体电子学 获工学博士学位

工作经历：

2014/07-2023/11 工业和信息化部电子第五研究所，历任工程师、高级工程师、正高级工程师

2023/11至今    广东工业大学集成电路学院，教授

社会兼职：

1、IEC TC47/SC47E/WG3（功率器件）国内技术对口工作组专家

2、全国变频调速设备标准化技术委员会（SAC/TC518）委员

3、国家第三代半导体产业联盟GaN功率器件标准化工作组专家

主要科研项目：

1、国家重点研发计划，2021YFB3602300，面向新能源汽车应用的 SiC 功率电子材料与器件，课题四“车规级功率半导体器件及模块测试及可靠性”负责人，2022.04-2026.03，国拨经费3500万。

2、国家自然科学基金青年基金，52107184，面向航天应用的GaN功率器件氢效应阈值电压稳定性及失效机理研究，2022.01-2024.12，主持，国拨经费30万。

3、广东省重点研发计划，2020B010173001，第三代半导体功率芯片、器件、模块的可靠性分析评价技术研究及关键设备开发，2020.01-2022.12，项目技术负责人（排名第二），国拨经费1200万。

4、国防基础科研计划，614280620190402，典型宽禁带半导体功率器件失效机理表征及应用研究，2019.01-2020.12，主持，国拨经费80万元。

5、广东省自然科学基金，2016A030310360，印刷型柔性显示基板Cu制程关键技术研究，2016.06-2019.06，主持，国拨经费10万元。

6、广东省工程技术研究中心，广东省电动汽车储能与充电系统检测工程技术研究中心，主持

7、广州市科技计划项目一般项目，201804010388，柔性显示寿命测试系统研究，2018.04-2020.03，主持，国拨经费20万元。

8、国家自然科学基金重点项目，62334002，高功率碳化硅器件瞬态极端损伤机理与加固技术，2024.01-2028.12，参与单位主持，国拨经费226万元。

9、装发预研项目，JZX7y20230681000015，超宽禁带XXX功率器件，2023.06-2026.05，参与单位主持，国拨经费300万元。

10、广东省重点研发计划，2017B010112002，基于大尺寸硅衬底的GaN高速功率开关器件关键技术研究，2018.01-2020.12，参与单位项目负责人，国拨经费500万元。

11、广东省重点研发计划，2019B010128002，面向高频开关电源应用的8英寸Si衬底上GaN基功率器件的关键技术研究及产业化，2019.01-2021.12，子课题负责人，国拨经费2000万。

12、广东省重点研发计划，2018B010142001，变频器用关键芯片、模块及检测技术，子课题负责人，国拨经费2000万。

13、装发重点项目，XX产品成熟度评估通用要求研究，2020.01-2021.12，技术负责人（排名第二），国拨经费90万。

14、广东省重点研发计划，2019B010127001，碳化硅晶片、功率器件和高频电能变换关键技术研发及产业化，2019.01-2021.12，参与单位课题负责人，国拨经费5000万，。

15、工信部高质量发展专项，汽车芯片测试和应用推广公共服务平台，2021.01-2022.12，核心技术人员，国拨经费2000万。

16、工信部高质量发展专项，全碳化硅（SiC）功率模组，2021.01-2022.12，参与单位负责人，国拨经费3000万。

代表性科研成果：

1、Y. T. Shen, Z. Y. He*, et al. Time-Dependent Degradation Mechanism of 1.2kV SiC MOSFET Under Long-term High Temperature Gate Bias Stress, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70, 1162-1167

2、S. Li, Z. Y. He*, R. Gao Y. Q. Chen*, et al. Time-Dependent Threshold Voltage Instability Mechanisms of p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs Under High Reverse Bias Conditions, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(1): 443-446

3、R. Gao, C. Liu, Z. Y. He*, Y. Q. Chen*, et al. Towards Understanding the Interaction Between Hydrogen Poisoning and Bias Stress in AlGaN/GaN MIS-HEMTs With SiNx Gate Dielectric, IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(2): 212-215

4、Yijun Shi , Zhiyuan He* , et al.A Comparative Study on G-to-S ESD Robustness of the Ohmic-Gate and Schottky-Gate p-GaN HEMTs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(5): 2229-2234

5、S. Li, Z. Y. He*, R. Gao, Y. Q. Chen*, Y. Liu, Z. Zhu*, et al. Time-dependent characteristics and physical mechanisms of AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistors under different bias conditions, Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 52 485106

6、R. Gao, Y. Shi, Z. Y. He*, Y. Chen*, et al. A Fast Extraction Method of Energy Distribution of Border Traps in AlGaN/GaN MIS-HEMT, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2020, 8: 905-910

7、Z. Y. He, Y. Chen, et al. Hydrogen effects on AlGaN/GaN MISFET with LPCVD-SiNx gate dielectric, Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 035020

8、L. He, Y. Ni, L. Li, Z. Y. He*, et al., Effect of geometry on the sensing mechanism of GaN Schottky barrier diode temperature sensor, IEICE Electronics Express, 2021, 18, No.19, 1-5

9、Z. Y. He et al. Comparison of Two Types of Recessed-Gate Normally-Off AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, 2012, 51, p054103

10、Z. Y. He et al., Investigations of leakage current properties in semi-insulating GaN grown on Si(111) substrate with low-temperature AlN interlayers, Journal of Physics D: Applied Physics, 2014, 47 045103

11、X. Huang, P. Sun*, Z. Y. He*, et al. Investigation of Performance Degradation in 600V HD-GITs Under Power Cycling Tests，IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2023, 11, 1111-1120

12、W. Chen, Z. Chen, Z. Le, Z. Fei, Y. Pei, G. Wang*, Z. Y. He*, Heteroepitaxy of ε-Ga2O3 thin films grown on AlN/Si(111) templates by metal–organic chemical vapor deposition, Appl. Surf. Sci., 2022, 581, 152335

13、Y. Chen, J. T. Feng*, J. L. Wang, X. B. Xu, Z. Y. He*, et al. Degradation Behavior and Mechanisms of E-Mode GaN HEMTs With p-GaN Gate Under Reverse Electrostatic Discharge Stress, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(2): 566-570

14、Y. Rao, Y. Chen*, Z. Y. He*, et al. Degradation mechanism analysis for SiC power MOSFETs under repetitive power cycling stress, Journal of Physics D: Applied Physics, 2022, 55 095113

15、Y. Zhao, D. Yu, Z. Lei , X. Cao , A. Wei , L. Tao , Y. Yang , J. Liu*, Z. Liu, Z. Zheng and Z. Y. He*, An artificial optoelectronic nociceptor based on In2S3 memristor, Journal of Physics D: Applied Physics, 2022, 55 125401

16、Y. Zhao, D. Yu, Z. Liu*, S. Li, Z. Y. He*, Memtransistors Based on Non-Layered In2S3VTwo-Dimensional Thin Films With Optical-Modulated Multilevel Resistance States and Gate-Tunable Artificial Synaptic Plasticity IEEE Access, 2020.3000589