于飞 副教授 硕士生导师

所属团队：电子设计自动化（EDA）科研团队

联系方式：icyufei@126.com

主要研究方向：

1、半导体器件紧凑模型

2、模拟/射频IC设计

3、半导体器件工艺优化

教育经历：

2013/09-2016/06，暨南大学， 计算机应用技术， 工学博士

2010/09-2013/06，暨南大学， 通信与信息系统， 工学硕士

2005/09-2009/06，南昌航空大学，通信工程， 工学学士

工作经历：

2023/10-至今， 广东工业大学，集成电路学院， 副教授

2021/01-2023/09，华侨大学， 信息科学与工程学院，副教授

2016/07-2020/12，华侨大学， 信息科学与工程学院，讲 师

主持科研项目：

1.国家自然科学基金面上项目，面向IC设计EDA工具的AlGaN/GaN HEMTs物理基紧凑模型研究（62374046），2024.01.01—2027.12.31，在研。

2.国家自然科学基金青年科学基金项目，纳米线晶体管的物理机制和紧凑模型研究（61904056），2020.01.01—2022.12.31，已结题。

3.福建省自然科学基金面上项目，依托DTCO流程的14nm及以下GAA晶体管物理基紧凑建模及EDA工具嵌入（2023J01111），2023.05.01—2026.04.30，参与，在研。

4.福建省自然科学基金面上项目，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的紧凑模型及其可靠性研究（2022J01293），2022.05.01—2025.04.30，在研。

5.华侨大学中青年教师科技创新资助项目，高性能金属氧化物(AOS)薄膜晶体管(TFT)的制备工艺与紧凑模型研究（ZQN-809），2020.05.01—2024.04.30，已结题。

6.福建省中青年教师科技创新资助计划项目，a-InGaZnO TFTs物理机制和紧凑模型研究（JAT170034），2017.09.30—2019.08.31，已结题。

7.华侨大学高层次人才资助项目，多晶硅纳米线TFT的物理机制和模型研究（16BS706），2016.11.01—2018.10.31，已结题。

主持科研项目：

1.华侨大学第三批新工科示范课程建设项目，电工电子学及实验，2021.07.01—2023.06.30，已结题。

代表性论著（第一作者#或通信作者*，SCI期刊论文）：

2022年

[1] Fei Yu #（于飞），Zhaoxu Song, Kun Fang, Ying Liang, Gongyi Huang, Chuanzhong Xu, Jiahui Liu, An undefinedytical Drain Current Model of ZnO-Based Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices 69，6139-6145（2022）.

2021年

[2] K. M. Chen（学生），Fei Yu *（于飞），Wanling Deng, X. Wu, Chuanzhong Xu，Gongyi Huang, J. K. Huang, A Lumped-Parameter Equivalent Circuit Model for Perovskite Solar Cells' S-Shaped I-V Kinks，IEEE Electron Device Letters 42，379-382（2021）.

【封面论文：https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9362001】

[3] Chuanzhong Xu, Xiaofang Sun, Ying Liang, Gongyi Huang, Fei Yu *（于飞），An undefinedytical Effective-Diode-Based undefinedysis of Industrial Solar Cells From Three-Diode Lumped-Parameter Model，IEEE Transactions on Electron Devices 68，2753-2758（2021）.

[4] Chuanzhong Xu, Ying Liang, Xiaofang Sun, Gongyi Huang, Fei Yu *（于飞），A Noniterative Parameter-Extraction Method for Single-Diode Lumped Parameter Model of Solar Cells，IEEE Transactions on Electron Devices 68，4529-4535（2021）.

[5] Zhaoxu Song（学生）, Kun Fang, Xiaofang Sun, Ying Liang, Wei Lin, Chuanzhong Xu, Gongyi Huang, Fei Yu *（于飞），An Effective Method to Accurately Extract the Parameters of Single Diode Model of Solar Cells, Nanomaterials 11, 2615 (2021).

2020年

[6] Gongyi Huang, Ying Liang, Xiaofang Sun, Chuanzhong Xu, Fei Yu *（于飞），undefinedyzing S-Shaped I–V characteristics of solar cells by solving three-diode lumped-parameter equivalent circuit model explicitly, Energy, 212, 118702（2020）.

[7] Fei Yu #（于飞），Gongyi Huang, Chuanzhong Xu， An explicit method to extract fitting parameters in lumped-parameter equivalent circuit model of industrial solar cells，Renewable Energy 146，2188-2198 (2020).

[8] Fei Yu #（于飞），Ying Liang，Xiaofang Sun，Gongyi Huang，Chuanzhong Xu，Modelling solar cells’ S-shaped I-V characteristics with an analytical solution to lumped-parameter equivalent circuit model，Solar Energy 202，498-506（2020）.

2019年

[9] Tiankuo Wei(学生),Fei Yu *（于飞）， Gongyi Huang， Chuanzhong Xu，A Particle-Swarm-Optimization-Based Parameter Extraction Routine for Three-Diode Lumped Parameter Model of Organic Solar Cells，IEEE Electron Device Letters 40，1511-1514（2019）.

[10] Fei Yu #（于飞）, Gongyi Huang, Wei Lin, and Chuanzhong Xu，An undefinedysis for S-Shaped I-V Characteristics of Organic Solar Cells Using Lumped-Parameter Equivalent Circuit Model，Solar Energy 177，229-240（2019）.

[11] Fei Yu #（于飞）, Gongyi Huang, Wei Lin, and Chuanzhong Xu，Lumped-Parameter Equivalent Circuit Model for S-Shape Current-Voltage Characteristics of Organic Solar Cells，IEEE Transactions on Electron Devices 66，670-677（2019）.

[12] Tiankuo Wei（学生）, Chuanzhong Xu, Wei Lin, Gongyi Huang, and Fei Yu *（于飞），A Lumped-Parameter Equivalent Circuit Modeling for I-V Characteristics of Organic Solar Cells with S-Shaped Kink，Crystals 9,80（2019）.

[13] Fei Yu #（于飞）,Gongyi Huang, Wei Lin, Chuanzhong Xu, Xiaoyu Ma, Wanling Deng, and Junkai Huang，Lumped-parameter equivalent circuit modeling of solar cells with S-shaped I-V characteristics，Solid State Electronics 156,79-86（2019）.

[14] Chuanzhong Xu, Fei Yu *（于飞）,Gongyi Huang, Wanling Deng, Xiaoyu Ma, and Junkai Huang，A Surface-Potential-Based undefinedytical I-V Model of Full-Depletion Single-Gate SOI MOSFETs，Electronics 8,785（2019）.

2018年

[15] Fei Yu #（于飞）， Chuanzhong Xu，and Gongyi Huang，A Surface-Potential-Based Drain Current Compact Model of Dynamic-Depletion Polysilicon Thin-Film Transistors，IEEE Transactions on Electron Devices 65，4875-4882（2018）.

[16] Fei Yu #（于飞）, Wanling Deng, Gongyi Huang, Chuanzhong Xu, Xiaoyu Ma, and Junkai Huang，An undefinedytical Surface-Potential-Based Drain Current Model of Full Depleted Polysilicon TFTs，IEEE Transactions on Electron Devices 65，2855-2862（2018）.

[17] Chuanzhong Xu，Fei Yu *（于飞）, Wei Lin, and Gongyi Huang，An Improved Organic Solar Cell Lumped-Parameter Equivalent Circuit Model，Crystals 8,277（2018）.

[18] Gongyi Huang，Fei Yu * (于飞), and Chuanzhong Xu，An undefinedytical Solution to Lumped Parameter Equivalent Circuit Model of Organic Solar Cells，Crystals 8,224（2018）.

[19] Fei Yu #（于飞）, Chuanzhong Xu, Gongyi Huang, Wei Lin, Tsair-Chun Liang，A closed-form trapped-charge-included drain current compact model for amorphous oxide semiconductor thin-film transistors，Microelectronics Reliability 91,307-312（2018）.

[20] Fei Yu #（于飞）, Gongyi Huang, Wei Lin, and Chuanzhong Xu，An analytical drain current model for symmetric double-gate MOSFETs，AIP Advances 8,045125（2018）.

2017年

[21] Fei Yu #（于飞）, Wanling Deng, Junkai Huang, Xiaoyu Ma, and Juin J. Liou，A Physics-Based Compact Model for Symmetrical Double-Gate Polysilicon Thin-Film Transistors，IEEE Transactions on Electron Devices 64，2221-2227（2017）.

[22] Fei Yu #（于飞）, Xiaoyu Ma, Wanling Deng, Juin J. Liou, and Junkai Huang，A surface-potential-based drain current compact model for a-InGaZnO thin-film transistors in Non-Degenerate conduction regime，Solid State Electronics 137， 38-43（2017）.

2016年

[23] Fei Yu #（于飞）, Wanling Deng, Junkai Huang, Xiaoyu Ma, and Songlin Chen，An Explicit Physics-Based I-V Model for Surrounding-Gate Polysilicon Transistors，IEEE Transactions on Electron Devices 63，1059-1065（2016）.